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鳳谷技術(shù)合成含燒結(jié)助劑的復(fù)合AlN粉體

文章出處:責(zé)任編輯:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2019-09-04 16:16【

AIN陶瓷具有高熱導(dǎo)率(理論熱導(dǎo)率為320W-m-1.K-1)、高電絕緣性(體電阻率>1016Q.m-1)、低介電常數(shù)(約為8.0)、與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)、良好的機(jī)械加工性能、無毒等優(yōu)異的物理化學(xué)性能,被視為先進(jìn)集成電路、半導(dǎo)體模塊電路和大功率器件理想的絕緣基片及封裝材料[1~3]. 要制備成本低、性能優(yōu)良的AIN陶瓷,關(guān)鍵環(huán)節(jié)是合成低成本、高純度、低氧含量、粒度細(xì)小的AIN原料粉體.目前,AIN 粉體的合成主要采用Al2O3碳熱還原法、鋁粉直接氮化法或自蔓延高溫合成法,但都存在一定的局限性[4.低成本、高效率的AIN粉體合成方法是非常有價(jià)值的研究方向。此外,AIN 是強(qiáng)共價(jià)鍵化合物,較難致密燒結(jié),通常燒結(jié)前需要添加燒結(jié)助劑(如Y2O3CaO、CaF2),以實(shí)現(xiàn)液相燒結(jié)機(jī)制,有效促進(jìn)致密化,同時(shí)提高產(chǎn)品的熱導(dǎo)性能。

鳳谷非金屬燒結(jié)爐


粉體燒結(jié)加熱技術(shù)是鳳谷節(jié)能于2009年發(fā)明的, 具有工藝簡單、能耗小、效率高、成本低等優(yōu)點(diǎn)、利用粉體加熱技術(shù)直接合成復(fù)合AIN粉體的技術(shù)方案[101, 同時(shí)考慮了粉體產(chǎn)品的質(zhì)量和后續(xù)陶瓷燒結(jié)工藝.一方面直接用母合金的氮化反應(yīng),避開了雜質(zhì)氧源,因而能夠合成低氧含量的AIN粉體;另一方面,在反應(yīng)過程中-步合成含燒結(jié)助劑的復(fù)合AIN粉體,可以省去后續(xù)的燒結(jié)助劑配料混合過程,這樣既避免了混料過程中氧的帶入,又實(shí)了AIN粉體與燒結(jié)助劑均勻混合,有利于燒結(jié)工藝和AIN陶瓷性能的提高,本文首次采用此技術(shù),以Al-Mg-Y合金為母合金,獲得了含燒結(jié)助劑Y2O3的高純度的復(fù)合AIN粉體。


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